Ｒｅｐｏｒｔ［ＬＳＩ］〜４５ｎｍ配線の低抵抗化に新技術　極薄バリヤー膜を自己整合的に形成
日経マイクロデバイス　第240号　2005.6.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第240号（2005.6.1）
ページ数	2ページ　（全2458字）
形式	PDFファイル形式　（79kb）
雑誌掲載位置	91〜92ページ目

　４５ｎｍノード（ｈｐ６５）で深刻化する配線の抵抗率上昇や強度低下といった問題を解決する技術開発が急速に進んできた（図１）。この６月に開かれる「２００５　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ（２００５　ＩＩＴＣ）」では，解決策となる技術発表が相次ぐ。中でも注目できるのが，極薄バリヤー・メタルを自己整合的に形成することで配線抵抗を下げる技術…