Ｒｅｐｏｒｔ［ＬＳＩ］〜ゲート絶縁膜の薄膜化目指し　チャネル材料をＧｅに変更
日経マイクロデバイス　第239号　2005.5.1

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掲載誌	日経マイクロデバイス　第239号（2005.5.1）
ページ数	1ページ　（全1399字）
形式	PDFファイル形式　（44kb）
雑誌掲載位置	81ページ目

　ＭＯＳ　ＦＥＴのゲート絶縁膜を薄膜化するために，チャネル材料をＳｉからＧｅに変更する研究が活発になってきた（図１）。高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）ゲート絶縁膜を使う場合，Ｇｅとｈｉｇｈ−ｋ膜との間にできる界面層がゲート絶縁膜厚を厚くしてしまうが，これを熱処理で除去できることが分かってきたためである。従来Ｇｅはキャリヤ移動度が高い点で注目されていたが，ゲート絶縁膜の薄膜化にも有利なことが実証されれば，Ｓ…