Emerging Technology〜光デバイスをSiで安く作る チップ上の光配線も視野に
日経マイクロデバイス 第238号 2005.4.1
掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第238号(2005.4.1) |
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ページ数 | 1ページ (全979字) |
形式 | PDFファイル形式 (51kb) |
雑誌掲載位置 | 3ページ目 |
光通信に必要な要素デバイスを化合物半導体ではなく,Siで実現しようという動きが相次いでいる(図1)。例えば,米Intel Corp.はSi製のラマン・レーザーを連続発振させることに成功した。NECはSi製のフォトダイオードで20GHzという高速動作を達成している。いずれも5〜10年後の実用化を目指している。光通信の分野でSiが使えるようになれば,減価償却が終わったラインで安価に光素子を製造できる…
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