Ｒｅｐｏｒｔ［ＬＳＩ］〜ＳｉＣの低損失ＭＯＳ ＦＥＴ ロームがゲート絶縁膜の新形成法で実現
日経マイクロデバイス 第236号 2005.2.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第236号（2005.2.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2936字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （95kb） |
| 雑誌掲載位置 | 98〜99ページ目 |
ＳｉＣの本領を発揮できるデバイスが登場した（図１）。Ｓｉ−ＭＯＳ ＦＥＴではこれまで手が届かなかった低損失動作を，ロームがＳｉＣ−ＭＯＳ ＦＥＴで実現した。今後，ＳｉＣ−ＭＯＳ ＦＥＴの製品化に向けて開発が加速しそうだ注１）。ロームは「２００５年中に製品化に向けた課題を解決し，２００６年にはサンプル出荷にこぎつけたい」としている。ＳｉＣのメリットを生かせる段階に 今回ロームが試作したＳｉＣ−ＭＯ…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 330円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「2ページ（全2936字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
Ｒｅｐｏｒｔ［ＦＰＤ］〜「２００６年，４０型級，２５００米ドル」で 液晶テレビは爆発的普及へ
Ｒｅｐｏｒｔ［ＬＳＩ］〜“隠れた欠陥”の可視化手法を提案 ４５ｎｍ歩留まり向上の決め手に
Ｒｅｐｏｒｔ［ＬＳＩ］〜中国・インド台頭の時代 “逃げ切り”図る米国の産業強化策
ＷＥＢ Ａｃｃｅｓｓ Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜ルネサス テクノロジ Ｎ３棟の１階に ３００ｍｍウエーハ対応ラインを建設
ＷＥＢ Ａｃｃｅｓｓ Ｒａｎｋｉｎｇ［ＬＳＩ］〜「ＲＲＡＭは次代のコア・メモリー」 シャープの町田社長 メモリー技術に大きな転換点か
