Ｒｅｐｏｒｔ［ＬＳＩ］〜“隠れた欠陥”の可視化手法を提案　４５ｎｍ歩留まり向上の決め手に
日経マイクロデバイス　第236号　2005.2.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第236号（2005.2.1）
ページ数	4ページ　（全5831字）
形式	PDFファイル形式　（194kb）
雑誌掲載位置	94〜97ページ目

　従来の検査・解析技術では見つけられなかった“隠れた欠陥”の可視化手法を提案する（図１）。これらは，４５ｎｍノード（ｈｐ６５）の歩留まり向上の決め手となる。４５ｎｍノードでは，新しい絶縁膜材料や露光技術の導入による歩留まりの低下が懸念される。それだけに，検査・解析技術を積極的に利用することが重要となる。　ＬＳＩの製品サイクルの短期間化，価格下落などが顕著になった１８０ｎｍノード以降，ＬＳＩメーカー…