Ｃｏｖｅｒ　Ｓｔｏｒｙ　デバイス新産業創造〜豊田中研●　Ｓｉパワー素子をＳｉＣに置き換える
日経マイクロデバイス　第236号　2005.2.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第236号（2005.2.1）
ページ数	2ページ　（全2227字）
形式	PDFファイル形式　（59kb）
雑誌掲載位置	46〜47ページ目

　豊田中央研究所（豊田中研）は，デンソーと協力してＳｉＣの結晶欠陥をケタ違いに低減できる技術を開発した（図２７，図２８）。ＳｉＣは高効率，高熱伝導率という特徴を備え，パワー素子への応用が期待されているが，これまでは高品質の結晶が得られにくいという問題があった。ここへ来てＳｉＣ結晶の高品質化にメドが付いたことで，Ｓｉパワー素子のＳｉＣへの全面置き換えに向けて期待が高まっている。その場合，デジタル家電…