ＷＥＢ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｒａｎｋｉｎｇ［Ｍｅｍｏｒｙ］〜中国に製造工場建設し　ＳＴとＨｙｎｉｘが　ＮＡＮＤ型フラッシュとＤＲＡＭを製造
日経マイクロデバイス　第235号　2005.1.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第235号（2005.1.1）
ページ数	1ページ　（全412字）
形式	PDFファイル形式　（39kb）
雑誌掲載位置	110ページ目

　伊仏ＳＴＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社（ＳＴ）と韓国Ｈｙｎｉｘ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ，Ｉｎｃ．は，中国江蘇省無錫にメモリー製造工場を設立するための合弁会社設立契約に調印したことを発表した。この新工場はＮＡＮＤ型フラッシュ・メモリーとＤＲＡＭの製造に特化する。工場のクリーン・ルーム面積は１万８０００ｍ２以上であり，２００５年初頭に着工予定である。完成時にはこの工場で約１５００人を雇用し，…