Report[LSI]〜GビットMRAMへの“壁越え”に成功 スパッタ法でMR比230%を実現
日経マイクロデバイス 第233号 2004.11.1
掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第233号(2004.11.1) |
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ページ数 | 2ページ (全2934字) |
形式 | PDFファイル形式 (235kb) |
雑誌掲載位置 | 92〜93ページ目 |
Gビット級のMRAM(magnetoresistive random access memory)の実現をぐっと前倒しにする成果が現れた。従来の最高値をはるかに凌ぐ230%の磁気抵抗(MR)比を持つMTJ(magnetic tunnel junction)素子注1)をSi基板上にスパッタ法で作製する技術である(図1)。アネルバと産業技術総合研究所(産総研)が共同で開発した。MR比はここ数年,70…
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