Ｒｅｐｏｒｔ［ＬＳＩ］〜ｈｉｇｈ−ｋの普及を加速する メタル・ゲートが本格離陸
日経マイクロデバイス 第232号 2004.10.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第232号（2004.10.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全4042字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （213kb） |
| 雑誌掲載位置 | 90〜91ページ目 |
ゲートのフルメタル化，高速トランジスタへのひずみ技術導入，新材料デバイスの提案−−。このようなデバイス技術の最新動向が，２００４年１２月１３〜１５日に米国サンフランシスコで開かれる半導体技術の国際会議「２００４ ＩＥＥＥ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｍｅｅｔｉｎｇ（２００４ ＩＥＤＭ）」で明らかになる。ゲート電極の仕事関数を制御 メタル・ゲートは，高誘電率（ｈｉ…
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