Ｒｅｐｏｒｔ［ＬＳＩ］〜活発化する新材料開発 ｈｉｇｈ−ｋ膜は信頼性検証の段階に
日経マイクロデバイス 第232号 2004.10.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第232号（2004.10.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全3215字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （168kb） |
| 雑誌掲載位置 | 95〜96ページ目 |
２００４年９月１５〜１７日に東京で開催されたデバイス・材料技術の国際会議「２００４ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ（ＳＳＤＭ ２００４）」では，高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）ゲート絶縁膜，ひずみＳｉ，低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）層間絶縁膜など，次世代トランジスタ材料に関する発表が相次いだ。これらの発表からは，開発フェ…
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