Ｉｎｓｉｄｅ ＬＳＩ 第２回高誘電ゲート絶縁膜（２） 課題克服，６５ｎｍで実用化へ，「フェルミ・レベル・ピニング」を抑制〜多くの現象を説明できる新モデル 「酸素空孔説」を提案
日経マイクロデバイス 第232号 2004.10.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第232号（2004.10.1） |
|---|---|
| ページ数 | 4ページ （全5638字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （590kb） |
| 雑誌掲載位置 | 55〜58ページ目 |
白石 賢二筑波大学物理学系 助教授山田 啓作早稲田大学 ナノテクノロジー研究所 教授知京 豊裕独立行政法人 物質材料研究機構 ナノマテリアル研究所ナノデバイス研究グループ サブグループリーダー 高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）ゲート絶縁膜は，従来のＳｉＯ２膜には見られなかったフェルミ・レベル・ピニングという大きな課題に直面している。その課題を克服する上で重要になるのが，「フェルミ・レベル・ピニング」のメカ…
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