Ｋｅｙ Ｐｅｒｓｏｎ〜「３２ｎｍ以降，露光装置は変化しなくなる」
日経マイクロデバイス 第232号 2004.10.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第232号（2004.10.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2833字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （255kb） |
| 雑誌掲載位置 | 26〜27ページ目 |
次世代露光技術の本命に急浮上した液浸。その技術開発に火を付けたのが，Ｂｕｒｎ Ｊ． Ｌｉｎ 氏である。同氏は液浸ＡｒＦ露光技術で６５ｎｍ（ｈｐ９０），４５ｎｍ（ｈｐ６５），３２ｎｍ（ｈｐ４５）の３世代を乗り切れると宣言し，ＥＵＶ（ｅｘｔｒｅｍｅ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）露光の実用化時期を３２ｎｍ以降に追いやった。ここへ来て，３２ｎｍの先もＥＵＶは使わないとの考えを明らかにした。Ｔａｉｗａｎ Ｓｅｍ…
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