Inside Logic〜SOITEC● 張り合わせ法でひずみSiと組み合わせ
日経マイクロデバイス 第224号 2004.2.1
掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第224号(2004.2.1) |
---|---|
ページ数 | 2ページ (全2165字) |
形式 | PDFファイル形式 (369kb) |
雑誌掲載位置 | 66〜67ページ目 |
Andre−Jacques Auberton−Herve仏SOITEC社CEO われわれは基板張り合わせによるSOI(silicon on insulator)技術である「スマートカット」プロセスを実用化している。Si薄膜層を支持基板に転写する。薄膜層の厚さは,H,He,Arなどのイオン打ち込みで形成するはく離層の深さによって決まる。薄膜層の転写後,はく離表面は,研磨,熱処理を経て,通常のSiウエ…
記事の購入(ダウンロード)
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 330円(税込)
他のIDで購入する
G-Search ミッケ!は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「2ページ(全2165字)」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
(注)特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。