Ｉｎｓｉｄｅ Ｌｏｇｉｃ〜ワッカー● 極薄ＳＯＩを狙ったＳＩＭＯＸ技術を確立
日経マイクロデバイス 第224号 2004.2.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第224号（2004.2.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2311字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （369kb） |
| 雑誌掲載位置 | 68〜69ページ目 |
松村 篤樹ワッカー・エヌエスシーイー技術本部ＳＯＩ／ＳＩＭＯＸグループ Ｓｉ層下に埋め込み酸化層を形成するＳＩＭＯＸ型プロセスを確立した（図１９）。Ｏ＋イオンの注入深さが加速エネルギーにより精度良く制御されるため，高温熱処理後に膜厚均一性の良いＳｉ層を形成でき，極薄Ｓｉ層形成に適している。製造プロセスは比較的単純であり，通常のバルクＳｉウエーハ１枚からＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏ…
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