Ｒｅｐｏｒｔ［Ｌｏｇｉｃ］〜米Ｉｎｔｅｌ，９０ｎｍノード向け ひずみＳｉ ＣＭＯＳの構造を明らかに
日経マイクロデバイス 第223号 2004.1.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第223号（2004.1.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2590字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （86kb） |
| 雑誌掲載位置 | 122〜123ページ目 |
ひずみＳｉを使ったＭＯＳ ＦＥＴに関する注目すべき発表が「２００３ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｍｅｅｔｉｎｇ（２００３ ＩＥＤＭ）」に続出した。中でも目を引いたのが，９０ｎｍノード向けひずみＳｉ ＣＭＯＳの構造を明らかにした米Ｉｎｔｅｌ Ｃｏｒｐ．である（図１〜図４）注１）。ｐＭＯＳとｎＭＯＳの構造を作り分けている。ｐＭＯＳはソース・ドレイン領域をエッチングし…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 330円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「2ページ（全2590字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
ＷＥＢ Ａｃｃｅｓｓ Ｒａｎｋｉｎｇ［Ｄｉｓｐｌａｙ］〜２００３年１０月の台湾ＴＦＴパネル出荷 第５世代工場が売り上げに貢献
ＷＥＢ Ａｃｃｅｓｓ Ｒａｎｋｉｎｇ［Ｄｉｓｐｌａｙ］〜有機ＥＬの正面輝度１．７倍 ピラミッド・アレイ・フィルム導入で実現
Ｒｅｐｏｒｔ［Ｌｏｇｉｃ］〜ＩＣＭＴＳプレビュー ＲＦ・アナログ混載ＳｏＣが話題の中心に
Ｒｅｐｏｒｔ［Ｍｅｍｏｒｙ］〜ＡｒＦ液浸向け露光装置 大手３社が一斉に製品化へ
Ｒｅｐｏｒｔ［Ｄｉｓｐｌａｙ］〜カシオがａ−Ｓｉ駆動の有機ＥＬで 従来とそん色ない表示を実演
