ＷＥＢ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｒａｎｋｉｎｇ［Ｍｅｍｏｒｙ］〜６５ｎｍＳＲＡＭの完全動作に成功　米Ｉｎｔｅｌが２００５年から　３００ｍｍウエーハで量産
日経マイクロデバイス　第223号　2004.1.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第223号（2004.1.1）
ページ数	1ページ　（全476字）
形式	PDFファイル形式　（101kb）
雑誌掲載位置	118ページ目

　米Ｉｎｔｅｌ　Ｃｏｒｐ．は，６５ｎｍプロセス技術を使ったＳＲＡＭの完全動作を確認したことを発表した。この６５ｎｍプロセス技術で２００５年に３００ｍｍウエーハ量産を開始する計画である。Ｉｎｔｅｌは，９０ｎｍＳＲＡＭ動作から今回の６５ｎｍＳＲＡＭ動作を２０カ月で達成したとする。今回の６５ｎｍプロセスでは，ひずみＳｉ，８層Ｃｕ配線，低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）層間絶縁膜を使っている。ＩｎｔｅｌはひずみＳｉを…