ＷＥＢ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｒａｎｋｉｎｇ［Ｍｅｍｏｒｙ］〜ＮＥＣエレクトロニクス　９０ｎｍ　ＳｏＣ向けに　米Ｍｏｓｙｓのメモリーの評価進める
日経マイクロデバイス　第223号　2004.1.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第223号（2004.1.1）
ページ数	1ページ　（全218字）
形式	PDFファイル形式　（101kb）
雑誌掲載位置	118ページ目

　米ＭｏＳｙｓ，　Ｉｎｃ．は，ＮＥＣエレクトロニクスが９０ｎｍの標準ロジック・プロセスを使って，Ｍｏｓｙｓ社の「１Ｔ−ＳＡＲＭ−Ｒ」メモリーのＳｉ検証を開始したと発表した。同時に，ＮＥＣエレが「１Ｔ−ＳＡＲＭ−Ｑ」メモリー技術，９０ｎｍの標準ロジック・プロセスを使って，テスト・チップを製造中であることを明らかにしている。ＮＥＣエレは１９９９年以来，ＭｏＳｙｓと提携している。（１１月２５日，小島郁太…