ＷＥＢ Ａｃｃｅｓｓ Ｒａｎｋｉｎｇ［Ｌｏｇｉｃ］〜ｈｉｇｈ−ｋの残る課題は しきい電圧シフトと信頼性
日経マイクロデバイス 第223号 2004.1.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第223号（2004.1.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全362字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （129kb） |
| 雑誌掲載位置 | 117ページ目 |
「２００３ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｍｅｅｔｉｎｇ（２００３ ＩＥＤＭ）」初日の１２月８日，セッション４の「Ｈｆ−ｂａｓｅｄ Ｇａｔｅ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｓ」では７件の論文が発表された。高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）ゲート絶縁膜は２００１年の百花繚（りょう）乱期を過ぎ，２００２年半ばからＨｆＯ系に収束する傾向を見せている。２００２ ＩＥＤＭでＨｆＯ系へのＮの導入…
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