Ｒｅｐｏｒｔ［Ｌｏｇｉｃ］　囲み〜米Ｉｎｔｅｌはメタル・ゲートと　ｈｉｇｈ−ｋ膜の組み合わせで高移動度化
日経マイクロデバイス　第222号　2003.12.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第222号（2003.12.1）
ページ数	1ページ　（全689字）
形式	PDFファイル形式　（109kb）
雑誌掲載位置	157ページ目

　高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）ゲート絶縁膜の実用化に向け，米Ｉｎｔｅｌ　Ｃｏｒｐ．は移動度劣化の問題をメタル・ゲート電極と組み合わせて解決する技術を同社の技術セミナーで発表した。この技術により，移動度をＳｉＯ２膜を使った場合と「ほぼ同等」（同社）にしている（図Ａ）。ＳｉＯ２換算膜厚は１．４５ｎｍを達成し，ゲート・リーク電流をＳｉＯ２の場合に比べて１／１００に削減した。これを使ってゲート長８０ｎｍのＦＥ…