Ｒｅｐｏｒｔ［Ｌｏｇｉｃ］〜ＳＯＩは次世代デバイスの中核技術に １Ｔ型ＤＲＡＭの新リフレッシュ手法が登場
日経マイクロデバイス 第222号 2003.12.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第222号（2003.12.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全3085字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （95kb） |
| 雑誌掲載位置 | 154〜155ページ目 |
９月３０日〜１０月２日に米国カリフォルニア州ニューポート・ビーチで開催された「Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ ＳＯＩ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ」では，ＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）技術の多岐にわたる応用例が登場した注１）。中でも目を引いたのは，１トランジスタ型（１Ｔ型）ＤＲＡＭやＳｏＣ（ｓｙｓｔｅｍ ｏｎ ａ ｃｈｉｐ）への応用に関する研究である。一方，５０ｎｍ以下のゲート長を狙った…
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