Ｒｅｐｏｒｔ［Ｌｏｇｉｃ］〜ｈｉｇｈ−ｋ膜は研究から開発フェーズへ　ゲート絶縁膜の薄膜化と高移動度を両立
日経マイクロデバイス　第222号　2003.12.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第222号（2003.12.1）
ページ数	2ページ　（全2067字）
形式	PDFファイル形式　（109kb）
雑誌掲載位置	156〜157ページ目

　高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）膜を使い，ゲート絶縁膜の薄膜化と高移動度を両立させることができた。ｈｉｇｈ−ｋ膜は６５ｎｍ以降での導入を目指し，研究開発が活発になっている。大きな問題になっていたのが移動度の劣化であり，２００３年はそれに関する学会発表が相次いだ。ここで，われわれはＳｉＯ２換算膜厚１．３ｎｍで４００ｃｍ２・Ｖ−１・ｓ−１を超える移動度を達成した（図１）。ＳｉＯ２換算膜厚１．５５ｎｍのＳｉＯ…