Ｒｅｐｏｒｔ［Ｍｅｍｏｒｙ］〜相次ぎ登場する７０〜６５ｎｍパターン 等倍マスク技術が進展
日経マイクロデバイス 第220号 2003.10.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第220号（2003.10.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全1970字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （76kb） |
| 雑誌掲載位置 | 96〜97ページ目 |
７０〜６５ｎｍ径のコンタクト・ホール。７０ｎｍルールのＤＲＡＭパターン。次世代の露光技術として名乗りを上げている「ＬＥＥＰＬ（Ｌｏｗ Ｅｎｅｒｇｙ Ｅ−ｂｅａｍ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）」で，このようなパターンを描けるマスクが相次いで登場している。ここへ来て，マスクの作成技術が大きく進化しているからである（図１）。“梁”の無い一括マスクへ ＬＥＥＰＬとは…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 330円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「2ページ（全1970字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
Ｒｅｐｏｒｔ［Ｌｏｇｉｃ］〜ＩＥＤＭプレビュー（ＳｏＣ） トランジスタ性能向上へ「総力戦」
Ｒｅｐｏｒｔ［Ｍｅｍｏｒｙ］〜ＦｅＲＡＭ向けＰＺＴ薄膜 リーク特性を三〜四ケタ改善
Ｒｅｐｏｒｔ［Ｌｏｇｉｃ］〜米Ｉｎｔｅｌの最新Ｓｉデバグ技術 不良の特定期間を大幅短縮
Ｒｅｐｏｒｔ［Ｄｉｓｐｌａｙ］〜音声回路をガラス基板上に集積した 液晶パネルが「ＣＥＡＴＥＣ」に登場
Ｒｅｐｏｒｔ［Ｄｉｓｐｌａｙ］〜低温ｐ−Ｓｉ ＴＦＴパネルの大画面化の 制約を打破するレーザー・アニール装置
