Ｒｅｐｏｒｔ［Ｍｅｍｏｒｙ］〜ＦｅＲＡＭ向けＰＺＴ薄膜 リーク特性を三〜四ケタ改善
日経マイクロデバイス 第220号 2003.10.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第220号（2003.10.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2077字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （83kb） |
| 雑誌掲載位置 | 94〜95ページ目 |
強誘電体メモリー（ＦｅＲＡＭ）向けのＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３（ＰＺＴ）膜のリーク電流特性を一気に三〜四ケタ改善できる技術を，セイコーエプソンが開発した（図１）。リーク電流を削減したことでヒステリシス特性，データ保持特性，疲労特性，耐インプリント特性など強誘電体の主要な特性をいずれも改善できる（図２，図３）。現在実用化されているＦｅＲＡＭでは，電極材料や回路構成を工夫し，特性のそれほど良くないＰＺＴ…
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