Ｒａｎｋｉｎｇ［Ｍｅｍｏｒｙ］〜ＦｅＲＡＭ向けＰＺＴ材料の特性を Ｎｂ添加で改善
日経マイクロデバイス 第220号 2003.10.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第220号（2003.10.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全215字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （100kb） |
| 雑誌掲載位置 | 85ページ目 |
セイコーエプソンは，強誘電体メモリー（ＦｅＲＡＭ）のキャパシタ材料である「ＰＺＴ」を改善した新材料を開発した。ＰＺＴを構成する元素のＴｉの一部をＮｂで置換している。これによって，酸素欠陥が生じることによる信頼性劣化を大幅に抑制できるとする。今回は１０９回書き換えても読み出し時の電圧が数％しか低下しないことを確認した（本誌２００３年５月号，ｐｐ．２９−３１に関連記事）。［→関連記事 本号ｐｐ．９４…
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