Ranking[Memory]〜米AMATが 自社のlow−k材料を 「東芝が採用」と発表
日経マイクロデバイス 第220号 2003.10.1
掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第220号(2003.10.1) |
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ページ数 | 1ページ (全224字) |
形式 | PDFファイル形式 (100kb) |
雑誌掲載位置 | 84ページ目 |
米Applied Materials, Inc.(AMAT)は,東芝セミコンダクター社が90nm量産プロセス「CMOS4」向け低誘電率(low−k)層間絶縁膜材料としてAMATの「Black Diamond」と「BLOk」を採用したと発表した。東芝は同社のASIC「TC300」ファミリの製造のために,90nmプロセスを大分工場で利用している。TC300ファミリは,無線機器やネットワーク製品,サー…
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