Cover Story Part2〜10Gビット超で競う NAND,NROM,OUM
日経マイクロデバイス 第220号 2003.10.1
掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第220号(2003.10.1) |
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ページ数 | 6ページ (全5828字) |
形式 | PDFファイル形式 (191kb) |
雑誌掲載位置 | 32〜37ページ目 |
メモリー・カードの普及によるビット消費量の増大が,不揮発性メモリーの技術革新を加速させ始めた。既存メモリーの大容量化・高速化に加えて,新型メモリーの進化を促す。NAND型フラッシュ・メモリーの容量は2006年にも16Gビットに達し,データ転送速度の開発対象は数十メガ・バイト/秒になる。NAND型対抗として,NROM構造のフラッシュの開発や格段の低コスト化に向けた1回書き込み型メモリーLSIの開発が…
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