Ｉｎｓｉｄｅ Ｍｅｍｏｒｙ〜キヤノン● Ｆ２とＡｒＦ液浸を検討
日経マイクロデバイス 第219号 2003.9.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第219号（2003.9.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2527字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （243kb） |
| 雑誌掲載位置 | 69〜70ページ目 |
鈴木 章義キヤノンコアテクノロジー開発本部 ６５〜４５ｎｍノード向けの露光装置として，２種類の候補を検討している（図１２）。一つはＦ２技術を採用した装置である。まずは開口数ＮＡが０．８の製品を２００４年初めに出荷する。続いてＮＡをさらに高めた装置の製品化も検討している。もう一つの候補はＡｒＦ液浸技術の採用機である。具体的な製品化計画は明らかにできないが，技術検討をしている段階にある。 ＡｒＦ液浸に…
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