Ｉｎｓｉｄｅ Ｍｅｍｏｒｙ〜オランダＡＳＭＬ● 液浸で焦点深度を２倍に改善
日経マイクロデバイス 第219号 2003.9.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第219号（2003.9.1） |
|---|---|
| ページ数 | 3ページ （全2924字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （243kb） |
| 雑誌掲載位置 | 66〜68ページ目 |
Ｐｅｔｅｒ ＪｅｎｋｉｎｓＡＳＭＬ Ｈｏｎｇ Ｋｏｎｇ Ｌｔｄ．Ｖｉｃｅ Ｐｒｅｓｉｄｅｎｔ， Ｓｔｒａｔｅｇｉｃ Ｍａｒｋｅｔｉｎｇ 「ムーアの法則」を支えてきたのは露光装置の高解像度化であり，その原動力となっているのは光学レンズの開口数ＮＡの向上，光源の波長λの短縮，解像度を規定した数式の比例定数ｋ１の縮小である（図８）。このうちＮＡを改善する技術としてＡｒＦ液浸，短波長化技術としてＦ２の開発…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 550円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「3ページ（全2924字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
Ｒａｎｋｉｎｇ［Ｄｉｓｐｌａｙ］〜消費電力を７０％削減する Ｓｉ基板の有機ＥＬ技術が登場
Ｒａｎｋｉｎｇ［Ｄｉｓｐｌａｙ］〜「ＩＭＩＤ」展示会 韓国メーカーの大型ＦＰＤが競演
Ｒａｎｋｉｎｇ［Ｄｉｓｐｌａｙ］〜韓国Ｓａｍｓｕｎｇ ＳＤＩの社長が ＣＲＴ復活論を展開
Ｉｎｓｉｄｅ Ｍｅｍｏｒｙ〜ニコン● 局所液浸方式を有望視
Ｉｎｓｉｄｅ Ｍｅｍｏｒｙ〜キヤノン● Ｆ２とＡｒＦ液浸を検討
