技術レター［ＬＳＩ製造］〜ＮＥＣと東芝がＭＲＡＭの 共同開発成果を披露 電流低減で微細化へ
日経マイクロデバイス 第215号 2003.5.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第215号（2003.5.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全448字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （64kb） |
| 雑誌掲載位置 | 44ページ目 |
ＭＲＡＭメモリー学会 ＮＥＣと東芝は，２００２年７月より進めているＭＲＡＭ（ｍａｇｎｅｔｉｃ ＲＡＭ）の共同開発の成果を２００３年４月に開催された『電子情報通信学会集積回路研究会』で共同発表した。ＭＲＡＭに関する両社共著の論文は初めてである。今回の発表は，ＭＲＡＭの課題である書き込み電流の低減手法に関してである。記憶素子となるＭＴＪ（ｍａｇｎｅｔｉｃ ｔｕｎｎｅｌ ｊｕｎｃｔｉｏｎ）の磁化方向を低…
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