技術レター[LSI製造]〜独InfineonがSMICとの DRAM提携を拡大 110nmと300mmウエーハも
日経マイクロデバイス 第215号 2003.5.1
掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第215号(2003.5.1) |
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ページ数 | 1ページ (全367字) |
形式 | PDFファイル形式 (64kb) |
雑誌掲載位置 | 44ページ目 |
生産委託SiファウンドリDRAM 独Infineon Technologies AGは,中国・上海を本拠地とするSemiconductor Manufacturing International Corp.(SMIC)との提携を拡大する。トレンチ技術を使った110nmルールのDRAM製造技術と300mmウエーハの量産ノウハウをSMICに移転していく。SMICは,300mmウエーハで1万5000枚/…
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