技術レター［ＬＳＩ製造＆ＬＳＩ設計］〜活況を呈したＩＳＩＦ　ＦｅＲＡＭの大容量・混載化で　富士通，ＴＩ，松下など競演
日経マイクロデバイス　第214号　2003.4.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第214号（2003.4.1）
ページ数	1ページ　（全1424字）
形式	PDFファイル形式　（64kb）
雑誌掲載位置	39ページ目

強誘電体メモリー学会　強誘電体メモリー（ＦｅＲＡＭ）の国際会議「１５ｔｈ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ　ｏｎ　Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃｓ（ＩＳＩＦ　２００３）」が，３月９日〜１２日に米国コロラド・スプリングで開催された。強誘電体の代表的材料であるＰＺＴを推進する企業とＳＢＴを使う企業が，それぞれの優位性をアピールするなど，活況を呈した。富士通は２５６Ｋビッ…