特別企画　Ｐａｒｔ２　囲み〜０．１３μｍのｌｏｗ−ｋは時期尚早　９０ｎｍでの導入が正しい
日経マイクロデバイス　第212号　2003.2.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第212号（2003.2.1）
ページ数	1ページ　（全1208字）
形式	PDFファイル形式　（307kb）
雑誌掲載位置	55ページ目

米Ａｌｔｅｒａ　Ｃｏｒｐ．Ｖｉｃｅ　Ｐｒｅｓｉｄｅｎｔ，　ＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＦｒａｎｃｏｉｓ　Ｇｒｅｇｏｉｒｅ氏　われわれが製造パートナに求める条件は大きく三つある。第１に，国際半導体技術ロードマップ（ＩＴＲＳ）と同等か，それ以上のプロセスを提供できることである。しかも「Ｇ（ｇｅｎｅｒａｌ　ｐｕｒｐｏｓｅ）」だけではなく，「ＬＶ（ｌｏｗ　ｖｏｌｔａｇｅ）」や「ＬＰ（ｌｏｗ　ｐｏｗｅｒ）」といった…