技術レター［ＬＳＩ製造］〜ＩＢＭの３５０ＧＨｚの ＳｉＧｅトランジスタ 論文提出後に高速化
日経マイクロデバイス 第210号 2002.12.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第210号（2002.12.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全263字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （82kb） |
| 雑誌掲載位置 | 38ページ目 |
学会トランジスタＳｉＧｅ 米ＩＢＭ Ｃｏｒｐ．は，遮断周波数が３５０ＧＨｚと高いＳｉＧｅトランジスタを開発，１２月に米国で開かれる「２００２ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｍｅｅｔｉｎｇ（ＩＥＤＭ）」で発表する。論文提出時の遮断周波数は２８８ＧＨｚだったが，論文提出後に３５０ＧＨｚを確認した。これまでＩｎＰやＧａＡｓでは実現できていたが，Ｓｉ系では初めてである。「新…
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