技術レター［ＬＳＩ製造］〜９０ｎｍプロセス使った セルベースＩＣを ＮＥＣＥＬが開発
日経マイクロデバイス 第210号 2002.12.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第210号（2002.12.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全319字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （82kb） |
| 雑誌掲載位置 | 38ページ目 |
セルベースＩＣシステムＬＳＩ微細化 ＮＥＣエレクトロニクス（ＮＥＣＥＬ）は，９０ｎｍプロセスを使ったセルベースＩＣ「ＣＢ−９０」を開発した。性能確認用のライブラリ提供を２００２年１２月，受注を２００３年３月，サンプル出荷を２００３年６月，量産を２００３年第３四半期からそれぞれ開始する。ゲート長６０ｎｍのＦＥＴに加え，最小配線ピッチ０．２８μｍ，最大９層の全層Ｃｕ配線，比誘電率２．９のｌｏｗ−ｋ膜を…
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