技術レター［ＬＳＩ設計］〜９０ｎｍノードの 設計プラットフォームを 欧米３社が共同開発
日経マイクロデバイス 第208号 2002.10.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第208号（2002.10.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全387字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （63kb） |
| 雑誌掲載位置 | 53ページ目 |
共同開発システムＬＳＩ微細化 ９０ｎｍノードのＣＭＯＳ設計プラットフォームを，米Ｍｏｔｏｒｏｌａ， Ｉｎｃ．，オランダＲｏｙａｌ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社，伊仏ＳＴＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社の３社が共同開発した。無線，ネットワーク，民生機器向けに低消費電力性と高速性を確保した。まず，各ライブラリは異なるしきい電圧の組み合わせに対応できる方式を採用した。標準セル・ライブラリは…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 330円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「1ページ（全387字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
産業ウオッチャ［台湾・中国 中根レポート］〜ＴＳＭＣの中国進出で 現地企業への影響必至 人材流動化も加速
技術レター［ＬＳＩ設計］〜５年間で４０００億円を投資し システムＬＳＩ専用ラインを 構築するＳａｍｓｕｎｇの戦略
技術レター［ＬＳＩ設計］〜ギガＨｚプロセサでも 達成できない高速処理を 国内ベンチャが実現
技術レター［ＬＳＩ設計］〜セルベースＩＣと ＦＰＧＡの中間狙った プラットフォームが登場
技術レター［ＬＳＩ製造］〜ナノテクノロジ研究を 本格化させた米Ｉｎｔｅｌ 「ムーアの法則」を維持
