技術レター［ＬＳＩ製造］〜１００ｎｍ径で焦点深度１０μｍ　最新の解像結果が登場した　「第一回ＥＰＬワークショップ」
日経マイクロデバイス　第206号　2002.8.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第206号（2002.8.1）
ページ数	1ページ　（全394字）
形式	PDFファイル形式　（63kb）
雑誌掲載位置	33ページ目

露光装置・部材微細化　電子ビーム露光（ＥＰＬ）技術のワークショップ「第一回ＥＰＬワークショップ」で露光装置，レジスト，マスクに関する最新の開発状況が示された。露光装置では，ニコンが熊谷に設置している露光性能の評価用装置を使って実際にパターンを解像した結果を示した。線幅／線間隔や孤立線幅で８０ｎ〜７０ｎｍのパターンが解像できており，孤立線幅では約５０ｎｍまで解像できそうだとニコンはいう。ホール・パタ…