技術レター［ＬＳＩ設計＆ＬＳＩ製造］〜米ＩＢＭと独Ｉｎｆｉｎｅｏｎが　カーボン・ナノチューブで　相次ぎ新しい成果
日経マイクロデバイス　第205号　2002.7.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第205号（2002.7.1）
ページ数	1ページ　（全405字）
形式	PDFファイル形式　（64kb）
雑誌掲載位置	39ページ目

ＭＥＭＳカーボン・ナノチューブＦＥＴ　カーボン・ナノチューブに関し，Ｓｉをしのぐ性能のＦＥＴを米ＩＢＭ　Ｃｏｒｐ．が，Ｓｉウエーハ上への作製技術を独Ｉｎｆｉｎｅｏｎ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ　ＡＧ．が，それぞれ開発した。ＩＢＭは単層壁のカーボン・ナノチューブ上にゲート絶縁膜やゲート電極を形成し，Ｓｉ−ＭＯＳ　ＦＥＴに似た構造を実現した。このＦＥＴは，サブスレショルド特性が急峻で，相互コンダクタンス…