論文［ＬＳＩ設計］〜「ＣＭＯＳでは無理」を覆す１０Ｇビット／秒のＬＳＩ技術
日経マイクロデバイス 第204号 2002.6.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第204号（2002.6.1） |
|---|---|
| ページ数 | 9ページ （全12605字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （363kb） |
| 雑誌掲載位置 | 123〜131ページ目 |
システムＬＳＩ高速伝送ＣＭＯＳ１０Ｇビット／秒の高速伝送を実現するＬＳＩをＳｉのＣＭＯＳプロセスで初めて実現した米Ｂｒｏａｄｃｏｍ Ｃｏｒｐ．が，その技術の詳細を明らかにした。従来は，数Ｇビット／秒領域になると化合物半導体が当たり前で「ＣＭＯＳでは無理」という見方が常識だった。Ｂｒｏａｄｃｏｍはその常識を覆し，「２００２ ＩＥＥＥ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｏｌｉｄ−Ｓｔａｔｅ Ｃｉｒｃｕｉｔ…
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