μレポート［ＬＳＩ製造］〜ＭＲＡＭ多層膜形成向け イオン・ビーム・スパッタが 試作から量産の段階へ
日経マイクロデバイス 第203号 2002.5.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第203号（2002.5.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2439字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （178kb） |
| 雑誌掲載位置 | 122〜123ページ目 |
製造装置不揮発性 メモリーＭＲＡＭＭＲＡＭ（ｍａｇｎｅｔｉｃ ＲＡＭ）の試作に使われてきたイオン・ビーム・スパッタが，量産対応に向けて動き出した。ＭＲＡＭの量産は２００３年末から２００４年にかけて，米国ＬＳＩメーカーを中心に始まる方向であり，現在はＬＳＩメーカーによる量産対応装置の選定が本格化している（本誌２００２年２月，ｐｐ．１４３−１４４に関連記事）。これに対し，イオン・ビーム・スパッタはＭＲ…
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