技術レター［ＬＳＩ設計＆ＬＳＩ製造］〜富士通があきる野の　研究・開発センターを公開　９０ｎｍのＬＳＩを量産へ
日経マイクロデバイス　第203号　2002.5.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第203号（2002.5.1）
ページ数	1ページ　（全318字）
形式	PDFファイル形式　（64kb）
雑誌掲載位置	33ページ目

システムＬＳＩ微細化研究・開発　富士通は，同社の研究・開発及び試作・量産施設である「あきる野テクノロジセンター」を報道関係者向けに公開した。同センターで試作中の９０ｎｍルールのＬＳＩは，２００２年夏にサンプル出荷，２００３年に量産出荷を始める。ゲート長４０ｎｍのトランジスタと１０層のＣｕ配線及び低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）層間絶縁膜を使う。同センターはプロセス技術だけではなく，設計技術も開発しており，こ…