μレポート［ＬＳＩ製造］〜２００３年に１００〜９０ｎｍで 実用化始まるＡｒＦ露光 ７０〜６５ｎｍまで延命目指す
日経マイクロデバイス 第202号 2002.4.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第202号（2002.4.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全3199字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （122kb） |
| 雑誌掲載位置 | 108〜109ページ目 |
露光技術研究開発微細化２００３年に１００〜９０ｎｍプロセスの量産が始まり，ここでＡｒＦエキシマ・レーザー露光技術が実用化の段階に達することがハッキリした。この２〜３月に微細化で先行するＬＳＩ各社が相次いで１００〜９０ｎｍプロセスを発表，この中でＡｒＦ露光の導入を明らかにしたためである。ＡｒＦ露光における今後の課題は，７０〜６５ｎｍプロセスへの対応である。実用化当初から位相シフト・マスクや変形照明な…
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