論文［ＬＳＩ製造］〜フラッシュから「ＯＵＭ」へ　米Ｉｎｔｅｌが描く将来像
日経マイクロデバイス　第201号　2002.3.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第201号（2002.3.1）
ページ数	12ページ　（全13797字）
形式	PDFファイル形式　（393kb）
雑誌掲載位置	65〜76ページ目

不揮発性メモリーフラッシュ・メモリー微細化米Ｉｎｔｅｌ　Ｃｏｒｐ．が描く不揮発性メモリーの将来像が明らかになった。まずフラッシュ・メモリーを展望し，現状のメモリー・セル構造で６５ｎｍルールまで微細化できることを示す。微細化に多値技術を組み合わせてコスト削減を推進すると同時に，ロジックやアナログと１チップ化する。次に今後の新型メモリーとして，高分子メモリーと「ＯＵＭ」を有望視する。１２月１１日に開か…