論文［ＬＳＩ製造］〜ＭＲＡＭ技術のセル構造　動作メカニズムを詳述
日経マイクロデバイス　第200号　2002.2.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第200号（2002.2.1）
ページ数	11ページ　（全15456字）
形式	PDFファイル形式　（247kb）
雑誌掲載位置	89〜99ページ目

不揮発性メモリーＭＲＡＭメモリー・セル新しい不揮発性メモリーＭＲＡＭ（ｍａｇｎｅｔｉｃ　ＲＡＭ）の技術開発が２００４年の量産に向けて急ピッチで進み始めた。早いところは大規模なプロジェクトを作り，メモリー・セルの多層膜の装置選定に入った（本号，ｐｐ１４３−１４４に関連記事）。先行する米Ｍｏｔｏｒｏｌａ，　Ｉｎｃ．に，ＭＲＡＭのセル構造や動作メカニズムを詳述してもらった。（望月洋介＝本誌）Ｔｈｅ　Ｉｍ…