解説［ＬＳＩ製造］〜０．１μｍ以降のトランジスタ 材料・構造を相次ぎ変更
日経マイクロデバイス 第200号 2002.2.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第200号（2002.2.1） |
|---|---|
| ページ数 | 9ページ （全9081字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （300kb） |
| 雑誌掲載位置 | 75〜83ページ目 |
ＦＥＴ研究開発学会０．１μｍプロセス以降のトランジスタは，材料や構造が相次いで変わる。既存の材料・構造のままでは，リーク電流や寄生容量による消費電力の上昇や性能劣化が抑えきれないからである。まず９０ｎｍもしくは６５ｎｍプロセスで，ＳｉＯ２膜の代わりに高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）ゲート絶縁膜を導入する。続く４５ｎｍに向けて，トランジスタ構造を変更する。ＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）の…
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