μレポート［ＬＳＩ製造］〜ゲート長１６〜１５ｎｍの ＦＥＴ評価結果を 欧米３者が相次ぎ発表
日経マイクロデバイス 第199号 2002.1.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第199号（2002.1.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2327字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （56kb） |
| 雑誌掲載位置 | 151〜152ページ目 |
ＦＥＴ研究開発学会ゲート長１６〜１５ｎｍのＦＥＴの発表が，２００１年１２月に開かれた「２００１ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｍｅｅｔｉｎｇ（２００１ ＩＥＤＭ）」やその直前の記者会見に相次いだ。今回の結果から，微細化による従来型ＦＥＴの性能向上が，１５ｎｍまで可能なことを確認できた。実用化に向けては，低消費電力化のための改良が必須なことが鮮明になった。 ゲート長が…
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