μレポート［ＬＳＩ製造］〜データ格納フラッシュが ギガ・ビット時代へ ２００２年に量産スタート
日経マイクロデバイス 第199号 2002.1.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第199号（2002.1.1） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全2089字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （51kb） |
| 雑誌掲載位置 | 149〜150ページ目 |
メモリーＬＳＩ不揮発性 メモリーフラッシュ・メモリーＮＡＮＤ型やＡＮＤ型といったデータ格納向けフラッシュ・メモリーが，ギガ・ビット時代を迎えた。東芝，韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．，日立製作所の大手３社が，２００２年に１Ｇビット品を一斉に量産する。各社の技術レベルは拮抗しており，１．５年でコストを半減するというフラッシュ・メモリーのトレンドを維持している。これらの技…
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