技術レター［ＬＳＩ製造＆ＬＳＩ設計］〜東芝，多値技術を使った １ＧビットＮＡＮＤ型 フラッシュを商品化
日経マイクロデバイス 第198号 2001.12.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第198号（2001.12.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全294字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （28kb） |
| 雑誌掲載位置 | 37ページ目 |
フラッシュ・メモリー大容量化戦略 東芝は米ＳａｎＤｉｓｋ Ｃｏｒｐ．との共同開発により，２ビット／セルの多値技術を使った１ＧビットＮＡＮＤ型フラッシュ・メモリーを商品化した。０．１６μｍルールの５１２Ｍビット品に多値技術を導入することで１Ｇビットの大容量化を実現した。サンプル出荷は１１月，量産出荷は２００２年初めに開始する。サンプル価格は１万円，量産規模は３０万個／月である。さらに，１Ｇビット品を…
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