技術レター［ＬＳＩ製造＆ＬＳＩ設計］〜ソニーが米ＭｏＳｙｓ社の １Ｔ−ＳＲＡＭ技術を 採用した理由
日経マイクロデバイス 第198号 2001.12.1
| 掲載誌 | 日経マイクロデバイス 第198号（2001.12.1） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全598字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （28kb） |
| 雑誌掲載位置 | 37ページ目 |
システムＬＳＩメモリー戦略 「うまいところを突いている。６トランジスタのＳＲＡＭでは面積が大き過ぎるし，ＤＲＡＭではコスト増につながる」ソニーＳ＆ＳアーキテクチャーセンターＬＳＩ設計部門２部統括部長の石井真氏は，民生機器向けシステムＬＳＩに集積するメモリーとして，米ＭｏＳｙｓ， Ｉｎｃ．の１トランジスタＳＲＡＭ（１Ｔ−ＳＲＡＭ）を採用した理由をこのように説明した。１Ｔ−ＳＲＡＭの利点は，ロジックＬ…
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