μレポート［ＬＳＩ製造］〜２００７年の量産目指し　米Ｉｎｔｅｌが２０ｎｍの　ＭＯＳ　ＦＥＴを試作
日経マイクロデバイス　第193号　2001.7.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第193号（2001.7.1）
ページ数	2ページ　（全2595字）
形式	PDFファイル形式　（49kb）
雑誌掲載位置	145〜146ページ目

米Ｉｎｔｅｌ　Ｃｏｒｐ．がゲート長２０ｎｍのＭＯＳ　ＦＥＴを試作，トランジスタとして動作することを６月に京都で開かれた「２００１　Ｓｉｌｉｃｏｎ　Ｎａｎｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ　Ｗｏｒｋｓｈｏｐ」で示した。現状では性能が不十分だが，ゲート長２０ｎｍのトランジスタ開発にメドが立ったとの指摘が聴講した国内トランジスタ技術者から出た。このＦＥＴは同社が２００７年に量産開始を目指す４５ｎｍプロセス向けであ…