μレポート［ＬＳＩ製造］〜ＮＯＲ型フラッシュ市場の　半分狙う多値技術を　米ＡＭＤと富士通が実用化
日経マイクロデバイス　第193号　2001.7.1

この記事の情報
掲載誌	日経マイクロデバイス　第193号（2001.7.1）
ページ数	2ページ　（全2397字）
形式	PDFファイル形式　（37kb）
雑誌掲載位置	149〜150ページ目

不揮発性メモリーフラッシュ・メモリー多値技術メモリー・セル内の２カ所にそれぞれ電荷を蓄積する新しい多値技術を米Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｍｉｃｒｏ　Ｄｅｖｉｃｅｓ，　Ｉｎｃ．（ＡＭＤ）と富士通が共同開発し，２００２年に実用化する。この技術を使ったフラッシュ・メモリーは，従来のＮＯＲ型市場の半分を置き換え，複数のしきい電圧を使う従来の多値フラッシュ・メモリーを全面的に置き換える可能性がある。従来のＮＯＲ型に…